Kiến thức

Điện dung – Wikipedia tiếng Việt

Điện dung

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia

Bước tới điều hướng

Bước tới tìm kiếm

Nếu đặt vào hai bản cực dẫn điện của

tụ điện

một

điện áp

thì các bản cực này sẽ tích các

điện tích

trái dấu. Khoảng không gian này sẽ tích lũy một

điện trường

,

điện trường

này phụ thuộc vào điện dung của

tụ điện

.

Xem thêm: Phương trình bậc nhất đối với sin và cos (Lý thuyết và bài tập trắc nghiệm có lời giải chi tiết)

Công thức tính[

sửa

|

sửa mã nguồn

]

Vậy, điện dung là đại lượng đặc trưng cho khả năng tích điện của

tụ điện

, được tính theo công thức C=qU{displaystyle C={frac {q}{U}}} hay C=dqdU{displaystyle C={frac {dq}{dU}}} trong đó C là điện dung của tụ điện, đơn vị là Fara (F), theo đó thì 1F là điện dung của một

tụ điện

mà khi

hiệu điện thế

giữa hai bản tụ là 1V thì

điện tích

của tụ điện là 1C.

Công thức tính điện dung của tụ điện có cấu tạo đặc biệt[

sửa

|

sửa mã nguồn

]

Với C là điện dung của tụ điện (F), ε là

hằng số điện môi

của lớp cách điện giữa hai bản tụ, ε₀, k là hằng số điện với ε0=14πk{displaystyle varepsilon _{0}={frac {1}{4pi k}}}k≈9.109Nm2C2{displaystyle kapprox 9.10^{9}{frac {Nm^{2}}{C^{2}}}}, ta có công thức tính điện dung của các tụ điện có cấu tạo đặc biệt như sau:

Tụ điện phẳng[

sửa

|

sửa mã nguồn

]

C=εε0Sd=εS4πkd{displaystyle C={frac {varepsilon varepsilon _{0}S}{d}}={frac {varepsilon S}{4pi kd}}}

  • d là chiều dày của lớp cách điện hay khoảng cách giữa hai bản tụ (m).
  • S là diện tích bản tụ (m²).

Tụ điện trụ[

sửa

|

sửa mã nguồn

]

C=2π0ln⁡R2R1{displaystyle C={frac {2pi hvarepsilon _{0}}{ln {frac {R_{2}}{R_{1}}}}}}

  • h là chiều cao của bản tụ (m).
  • R₁ là bán kính tiết diện mặt trụ trong, R₂ là bán kính tiết diện mặt trụ ngoài.

Tụ điện cầu[

sửa

|

sửa mã nguồn

]

C=4πε0R1R2R2−R1{displaystyle C={frac {4pi varepsilon _{0}R_{1}R_{2}}{R_{2}-R_{1}}}}

  • R₁ là bán kính mặt cầu trong, R₂ là bán kính mặt cầu ngoài.

Xem thêm: Bảng cấu hình electron của các nguyên tố thường gặp

Điện dung của một bộ tụ điện[

sửa

|

sửa mã nguồn

]

Ghép song song: C=ΣCi{displaystyle C=Sigma C_{i}}

Ghép nối tiếp: 1C=Σ1Ci{displaystyle {frac {1}{C}}=Sigma {frac {1}{C_{i}}}}

Dung kháng của tụ điện[

sửa

|

sửa mã nguồn

]

Dung kháng của tụ điện: Zc = 1/ωC = 1/2πfC

Đối với tụ điện lý tưởng không có dòng qua hai tấm bản cực tức là tụ điện không tiêu thụ công suất. Nhưng thực tế vẫn có dòng từ cực này qua lớp điện môi đến cực kia của tụ điện, vì vậy trọng tụ có sự tổn hao công suất. Thường sự tổn hao này rất nhỏ và người ta thường đo góc tổn hao (tgδ) của tụ để đánh giá tụ điện.

Để tính toán, tụ điện được đặc trưng bởi một tụ điện lý tưởng và một thuần trở mắc nối tiếp nhau (đối với tụ có tổn hao ít) hoặc mắc song song với nhau (đối với tụ có tổn hao lớn), trên cơ sở đó xác định góc tổn hao của tụ.

Xem thêm: 50 Bài tập trắc nghiệm phương trình lượng giác

Chú thích[

sửa

|

sửa mã nguồn

]

Đọc thêm[

sửa

|

sửa mã nguồn

]

  • Tipler, Paul (1998). Physics for Scientists and Engineers: Vol. 2: Electricity and Magnetism, Light (4th ed.). W. H. Freeman.

    ISBN 1-57259-492-6

  • Serway, Raymond; Jewett, John (2003). Physics for Scientists and Engineers (6 ed.). Brooks Cole.

    ISBN 0-534-40842-7

  • Saslow, Wayne M.(2002). Electricity, Magnetism, and Light. Thomson Learning.

    ISBN 0-12-619455-6

    . See Chapter 8, and especially pp. 255–259 for coefficients of potential.

Lấy từ “

https://vi.wikipedia.org/w/index.php?title=Điện_dung&oldid=64712217

Chuyên mục: Kiến thức

Related Articles

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *

Check Also
Close
Back to top button